新潔能 NCEP02T10T TO-247 N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET參數(shù)資料/低價(jià)現(xiàn)貨
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- 發(fā)布時(shí)間:2025-02-17 10:04:25
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新潔能NCEP02T10T是一款高性能N溝道增強(qiáng)型功率MOS管,專為低電壓、高密度電源管理及信號(hào)開關(guān)場(chǎng)景設(shè)計(jì)。該MOS管采用先進(jìn)的溝槽柵工藝技術(shù),具備極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和快速開關(guān)特性,適用于便攜式設(shè)備、電池供電系統(tǒng)及小型化電子模塊。作為小信號(hào)MOS管的代表,其微型封裝與低功耗設(shè)計(jì)顯著提升了系統(tǒng)效率,是消費(fèi)電子、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中實(shí)現(xiàn)高效能功率控制的核心元件之一。
捷億星尾料優(yōu)選是一家專注正品元器件尾料的分級(jí)折扣商城,現(xiàn)有NCEP02T10T 2022批次現(xiàn)貨特價(jià)出售,含稅價(jià)格為6.09元/個(gè)(低于市場(chǎng)價(jià)的50%),采購(gòu)鏈接: NCEP02T10T/XJN N溝道 TO-247 2022批次 MOSFET,有意請(qǐng)進(jìn)入官方商城在線下單,如果您有任何疑問請(qǐng)聯(lián)系15851915210。
NCEP02T10T參數(shù):
類型:N溝道增強(qiáng)型MOS管
漏源電壓(VDS):200V
連續(xù)漏極電流(ID):100A
脈沖漏極電流(IDM):400A
導(dǎo)通電阻(RDS(on))<12mΩ(@VGS=10V)
柵極閾值電壓(VGS):±20V
最大功耗(PD):300W
封裝形式:TO-247-3L
NCEP02T10T特點(diǎn):
低導(dǎo)通損耗:超低RDS(on)(0.1Ω@4.5V)減少MOS管導(dǎo)通時(shí)的能量損耗,提升系統(tǒng)續(xù)航能力。
快速開關(guān)性能:優(yōu)化的柵極電容(Ciss/Coss)支持高頻開關(guān)操作,適配PWM控制與信號(hào)切換需求。
微型化封裝:TO-247-3L封裝節(jié)省空間,滿足緊湊型電子設(shè)備的集成需求。
低電壓驅(qū)動(dòng):20V閾值電壓兼容低壓MCU控制,簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。
高可靠性:通過(guò)嚴(yán)格的ESD防護(hù)測(cè)試(HBM≥2kV),確保MOS管在復(fù)雜環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
NCEP02T10T應(yīng)用:
便攜式設(shè)備:藍(lán)牙耳機(jī)、智能手表的電源管理與負(fù)載開關(guān)。
電池供電系統(tǒng):移動(dòng)電源、IoT設(shè)備的充放電控制電路。
信號(hào)切換:傳感器模塊、通信接口的多路信號(hào)選通。
消費(fèi)電子:手機(jī)攝像頭馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、背光LED控制。
工業(yè)控制:低功耗繼電器的替代方案,實(shí)現(xiàn)無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)。
總結(jié):
新潔能NCEP02T10T MOS管以超低導(dǎo)通電阻與微型化設(shè)計(jì),成為低電壓、高密度電子系統(tǒng)的理想選擇。其快速開關(guān)特性和低壓驅(qū)動(dòng)能力,使該MOS管在便攜設(shè)備與IoT領(lǐng)域表現(xiàn)尤為突出。作為小功率MOS管的標(biāo)桿產(chǎn)品,它不僅優(yōu)化了能效與空間利用率,還通過(guò)高可靠性設(shè)計(jì)適配嚴(yán)苛應(yīng)用場(chǎng)景。無(wú)論是電源路徑管理還是信號(hào)切換控制,NCEP02T10T均能提供精準(zhǔn)高效的功率控制能力,是工程師構(gòu)建輕量化、長(zhǎng)續(xù)航電子設(shè)備的核心組件之一。
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